| उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
|---|---|
| ब्रांड नाम: | TX TELSIG |
| प्रमाणन: | SGS, ISO9001 |
| मॉडल संख्या: | वाईपीएम02054439 |
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 1 |
| मूल्य: | Negotiation |
| भुगतान शर्तें: | एल/सी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, पेपैल, आदि |
| आवृत्ति सीमा: | 225 ~ 512 मेगाहर्ट्ज | लाभ (प्रकार): | 44dB |
|---|---|---|---|
| आउटपुट पावर (टाइप): | 39डीबीएम | निष्क्रिय करंट: | 60mA |
| हाई लाइट: | आरएफ पावर एम्पलीफायर,एमआईसी पावर एम्पलीफायर |
||
TXtelsig YPM02054439 RF एम्पलीफायर 225 ~ 512MHz 8W पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल
YPM02054439 एक उच्च-लाभ, उच्च-शक्ति और अत्यधिक एकीकृत पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल (PAM) है जो TETRA संचार के लिए 8W आउटपुट पावर की आवश्यकता होती है।PAM CW सिग्नल इनपुट के साथ 44 dB का एक विशिष्ट लाभ और 8W की आउटपुट पावर प्रदान करता है, 60mA पर विशिष्ट मौन पूर्वाग्रह की स्थिति 28V है, इनपुट और आउटपुट आंतरिक रूप से मेल खाते हैं और न्यूनतम बाहरी मिलान घटकों की आवश्यकता होती है, यह आंतरिक रूप से शक्ति के साथ एकीकृत होता है डिटेक्टेड यूनिट और ESD प्रोटेक्ट यूनिट।YPM02054439 को लघु 8-लीड, 10×10×1.1mm3 LGA पैकेज के अंदर रखा गया है।
विशेषताएं
225 ~ 512 मेगाहर्ट्ज फ़्रिक्वेंसी रेंज
44dB लाभ (टाइप)
39dBm आउटपुट पावर (टाइप)
15dB इनपुट रिटर्न लॉस
■28वी ऑपरेशन
60mA मौन धारा
इनपुट और आउटपुट आंतरिक रूप से मेल खाते हैं
आंतरिक रूप से एकीकृत पावर डिटेक्टेड यूनिट
एकीकृत ईएसडी सुरक्षा इकाई
■ उन्नत InGaP/GaAs HBT और GaN pHEMT प्रौद्योगिकी
LGA पैकेज 10×10×1.1mm3
अनुप्रयोग
टेट्रा
रेडियो मोडेम
आदेश की जानकारी
YPM02054439 225~512MHz पावर एम्पलीफायर मॉड्यूल
■ YPM02054439-EVB 225~512MHz YPM02054439 मूल्यांकन बोर्ड
सावधान!ESD संवेदनशील डिवाइस
ESD रेटिंग: Class1C
मान: पास≥1000V मिनट।
टेस्ट: मानव शरीर मॉडल (HBM)
मानक: JEDEC मानक JESD22-A114
ईएसडी रेटिंग: चतुर्थ श्रेणी
मान: 1000V मिनट गुजरता है।
परीक्षण: चार्ज डिवाइस मॉडल (सीडीएम)
मानक: JEDEC मानक JESD22-C101
एमएसएल रेटिंग: स्तर 3 +260 डिग्री सेल्सियस संवहन
पुनर्प्रवाहित
मानक: जेईडीईसी मानक जे-एसटीडी-020
| पैरामीटर | रेटिंग | इकाई |
| इनपुट आरएफ पावर | 0 | डी बी एम |
| प्रथम चरण आपूर्ति वोल्टेज | -0.5 से +6.0 | वी |
| द्वितीय चरण आपूर्ति वोल्टेज | -0.5 से +28.0 | वी |
| पहला पूर्वाग्रह वोल्टेज | -0.5 से +3.3 | वी |
| 1 बायस वोल्टेज | -5.0 से -2.0 | वी |
| ऑपरेटिंग परिवेश का तापमान | -40 से +85 | डिग्री सेल्सियस |
| भंडारण तापमान | -55 से +150 | डिग्री सेल्सियस |
| पिन विवरण | ||
| पिन नंबर | प्रतीक | विवरण |
| 1 | आरएफ आईएन | आरएफ इनपुट |
| 2 | वीबी | पहला पूर्वाग्रह वोल्टेज |
| 3 | एनसी | कोई कनेक्ट नहीं |
| 4 | वीजी | दूसरा पूर्वाग्रह वोल्टेज |
| 5 | आरएफ आउट | आरएफ आउटपुट |
| 6 | वीडीडी | दूसरा चरण आपूर्ति वोल्टेज |
| 7 | पीडीईटी | पावर डिटेक्टर |
| 8 | वीसीसी | पहला चरण आपूर्ति वोल्टेज |
| 9 | जीएनडी | ग्राउंड कनेक्ट |